著錄信息
- 專利名稱：一種低壓VDMOS器件
- 專利類型：實用新型
- 申請?zhí)枺?/em>CN201621187877.7
- 公開(公告)號：CN206236675U
- 申請日：20161028
- 公開(公告)日：20170609
- 申請人：佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司
- 發(fā)明人：張國光,王自鑫,郭建平,邱曉輝,張順,姚劍鋒,嚴(yán)向陽
- 申請人地址：528051 廣東省佛山市禪城區(qū)古新路45號
- 申請人區(qū)域代碼：CN440604
- 專利權(quán)人：佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司
- 洛迦諾分類：無
- IPC：H01L29/78,H01L29/06
- 優(yōu)先權(quán)：無
- 專利代理機(jī)構(gòu)：佛山市禾才知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44379
- 代理人：劉羽波
- 審查員：無
- 國際申請：無
- 國際公開(公告)：無
- 進(jìn)入國家日期：無
- 分案申請：無
關(guān)鍵詞
外延層,多晶硅層,襯底,源極金屬,源區(qū),柵氧化層,電阻率,上表面,本實用新型,工藝步驟,連接源,凹部,減小,漏極,凸部,下端,元胞,生產(chǎn)成本
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