著錄信息
- 專利名稱：溝槽式金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管及其鍵合方法
- 專利類型：發(fā)明
- 申請?zhí)枺?/em>CN200810216746.0
- 公開(公告)號：CN101383304B
- 申請日：20081017
- 公開(公告)日：20110525
- 申請人：深圳市晶導電子有限公司
- 發(fā)明人：賴輝朋,何建歡,高燕輝
- 申請人地址：518101 廣東省深圳市寶安區(qū)新安街道留仙二路鴻輝工業(yè)園3號廠房1-4層
- 申請人區(qū)域代碼：CN440306
- 專利權(quán)人：深圳市晶導電子有限公司
- 洛迦諾分類：無
- IPC：H01L21/607,H01L23/488
- 優(yōu)先權(quán)：無
- 專利代理機構(gòu)：廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224
- 代理人：曾旻輝
- 審查員：王丹
- 國際申請：無
- 國際公開(公告)：無
- 進入國家日期：無
- 分案申請：無
關(guān)鍵詞
金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管,銅絲,焊接,銅線,超聲,焊球,鍵合,芯片,熔化,導電性能,金絲,球焊,禁區(qū)
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